磁阻

这个词是在1888年5月由Oliver Heaviside创造的。磁阻力 "的概念是由James Joule首次提到的，而 "磁动力"（MMF）一词是由Bosanquet首次命名的。关于磁通量定律的想法，类似于闭合电路的欧姆定律，是由H.罗兰德提出的。

总的磁阻等于无源磁路中的 "磁动力"（MMF）与该磁路中的磁通之比。在交流场中，磁阻是正弦MMF和磁通的振幅值的比率。(见相位)

该定义可表示为：。

R = F Φ {displaystyle {mathcal {R}}={frac {mathcal {F}}{Phi}}.

其中

R {displaystyle {mathcal {R}} （"R"）是以每韦伯安培匝数（相当于每亨利匝数）为单位的磁阻。）"匝数 "指的是构成电感器的电导体的绕组数。

F {displaystyle {mathcal {F}} ("F")是磁动力(MMF)，单位是安培-匝数。

Φ（"Phi"）是韦伯的磁通量。

它有时被称为霍普金森定律，类似于欧姆定律，电阻由磁阻取代，电压由MMF取代，电流由磁通取代。

正如麦克斯韦方程所描述的那样，磁通总是形成一个闭合的回路，但回路的路径取决于周围材料的磁阻。它集中在磁阻最小的路径周围。空气和真空具有高磁阻。易磁化的材料，如软铁，具有低磁阻。低磁阻材料中的磁通量的集中形成了强大的临时极点，并导致机械力倾向于将材料向高磁通量的区域移动，所以它总是一种吸引力（拉力）。

均匀磁路的磁阻可计算为：。

R = l μ 0 μ r A {\displaystyle {\mathcal {R}}={frac {l}{mu _{0}\mu _{r}A}}}.

或

R = l μ A {displaystyle {mathcal {R}}={frac {l}{mu A}}}。

其中

l是电路的长度，米

μ 0 {displaystyle mu _{0}} 是自由空间的渗透率，等于 4 π × 10 - 7 {displaystyle 4pi\times 10^{-7}} henry per metre

μ r {displaystyle mu _{r}} 是材料的相对磁导率（无尺寸）。

μ {displaystyle \mu } 是材料的渗透率( μ = μ 0 μ r {displaystyle \mu =\mu _{0}\mu _{r}} )

A是电路的横截面积，单位是平方米

磁阻的倒数被称为磁导率。

P = 1 R {displaystyle {mathcal {P}}={frac {1}{mathcal {R}}}}

它的SI衍生单位是亨利（与电感的单位相同，尽管这两个概念是不同的）。

• 可以在某些变压器的磁芯中建立气隙，以减少饱和的影响。这增加了磁路的磁阻，使其能够在磁芯饱和之前储存更多的能量。这种效果也被用于反激式变压器中。

• 磁阻的变化是磁阻电机（或可变磁阻发电机）和亚历山大交流发电机的原理。换句话说，磁阻力寻求最整齐的磁路和小的气隙距离。

• 多媒体扬声器通常有磁屏蔽，以减少它们对电视和其他CRT的磁干扰。扬声器的磁体被软铁等材料覆盖，以减少杂散磁场。

不愿意也可以适用于。

• 磁阻电机
• 可变磁阻（磁性）拾音器

• 电介质复合磁阻
• 磁性电容
• 磁性电容
• 磁性电路
• 磁性复合磁阻
• 磁阻电机