电荷密度和电场
∇ ⋅ D = ρ {displaystyle \nabla \cdot \mathbf {D} =\rho }
,
其中ρ {displaystyle {rho }}
是自由电荷密度(以C3/m为单位),不包括绑定在材料中的偶极电荷,而D {displaystyle \mathbf {D}是电位移场(以C/m为单位)。}
是电位移场(以C/m为单位2)。这个方程就像真空中非移动电荷的库伦定律。
下一个积分形式(根据发散定理),也被称为高斯定律,说的是同样的事情。
∮ A D ⋅ d A = Q enclosed {\displaystyle\oint _{A}\mathbf {D}.\cdot d\mathbf {A} =Q_{text{enclosed}}。 
d A {displaystyle dmathbf {A}是封闭面A上的微分方块的面积。}
是闭合表面A上的微分方块的面积。表面法线指向外是方向,Q封闭{displaystyle Q
_{text{enclosed}}是在表面内的自由电荷。
在线性材料中,D {displaystyle \mathbf {D}与电场E {displaystyle \mathbf {E}直接相关。}
与电场E {displaystyle\mathbf {E}直接相关。ε {displaystyle \varepsilon }
与一个常数有关,这个常数被称为允许率。}
(这个常数对于不同的材料是不同的)。
D = ε E {displaystyle\mathbf {D} =\varepsilon\mathbf {E} }。}
.
如果电场不是很强,你可以假装一种材料是线性的。
自由空间的介电常数被称为ε {0displaystyle\varepsilon _{0}} 。
,并在此方程中使用。
∇ ⋅ E = ρ t ε {\0displaystyle \nabla \cdot \mathbf {E} ={frac {\rho _{t}{varepsilon _{0}}}} 
这里E {displaystyle mathbf {E}是电场(单位为V/m)。}
又是电场(单位为V/m),ρ t {\displaystyle \rho _{t
}}是总电荷密度(包括束缚电荷),ε {\0displaystyle \varepsilon _{0}}是自由空间的电容。
(大约8.854 pF/m)是自由空间的介电常数。我们也可以把ε {displaystyle \varepsilon }
写成ε 0⋅ ε r {displaystyle \varepsilon _{0}\cdot \varepsilon _{r}}。
.这里,ε r {displaystyle \varepsilon _{r}}
是与自由空间的允许率相比,材料的允许率。这被称为相对介电率或介电常数。
另见泊松方程。
磁场的结构
∇ ⋅ B = {0displaystyle \nabla \cdot \mathbf {B} =0}。 
B {displaystyle mathbf {B}是磁通密度(单位为特斯拉,T)。}
是磁通密度(以特斯拉为单位,T),也叫磁感应。
接下来的这个积分表说的是同样的事情。
∮ A B ⋅ d A = {0displaystyle\oint _{A}\mathbf {B} \cdot dmathbf {A} =0}。\cdot d\mathbf {A} =0}。 
d A {displaystyle d\mathbf {A}的面积是表面A {displaystyle A}上的微分平方的面积。}的面积
是表面A {displaystyle A}
上的一个微分方块的面积。d A {displaystyle d\mathbf {A}的方向是在A {displaystyle A}上向外的法线。}
是A {displaystyle A}
表面上向外的法线。
这个方程只有在封闭的表面上进行积分时才有效。这个方程说,在每个体积中,进入的磁场线之和等于出去的磁场线之和。这意味着磁场线必须是闭环的。另一种说法是,磁场线不能从某个地方开始。这是数学上的一种说法。"不存在磁单极"。
变化的磁通量和电场
∇ × E = - ∂ B ∂ t {\displaystyle \nabla \times \mathbf {E} =-{frac {partial \mathbf {B}}}}{partial t}}.}{partial t}}。 
接下来的这个积分表说的是同样的事情。
∮ s E ⋅ d s = - d Φ B d t {\displaystyle\oint _{s}\mathbf {E}\cdot d\mathbf {s} =-{frac {dPhi _{mathbf {B}}}{dt}}}} 
这里Φ B = ∫ A B ⋅ d A {\displaystyle\Phi _{mathbf {B} }=int _{A}\mathbf {B} ⋅ d A}=int _{A}\mathbf {B}}。\cdot d\mathbf {A}} 
这就是这些符号的含义。
ΦB是通过第二个方程描述的区域A的磁通量。
E是磁通量引起的电场。
s是一个封闭的路径,其中有电流感应,例如一根电线。
v是线元件的瞬时速度(对于移动电路)。
电动势等于这个积分的值。有时这个符号被用来表示电动势。E {displaystyle {mathcal {E}}} ,不要把它与之前使用的介电常数符号混淆。
,不要把它与之前使用的许可率的符号混淆。
这个定律就像法拉第的电磁感应定律。
一些教科书显示积分形式的右手符号在磁通量导数前面有一个N(N是围绕A边缘的线圈数量)。N可以在计算A时加以注意(多个线圈意味着有多个表面供磁通量通过),而且它是一个工程细节,所以这里就不提了。
负号是能量守恒的需要。它是如此重要,以至于它甚至有自己的名字,伦茨定律。
这个方程式显示了电场和磁场是如何相互作用的。例如,这个方程式解释了电动机和发电机的工作原理。在电机或发电机中,场电路有一个固定的电场,引起一个磁场。这就是所谓的固定励磁。变化的电压是在电枢电路上测量的。麦克斯韦方程是在一个右手坐标系中使用的。为了在左手系统中使用它们,在不改变方程的情况下,必须使磁场的极性相反(这并没有错,但令人困惑的是,它通常不是这样做的)。
磁场的来源
∇ × H = J + ∂ D ∂ t {\displaystyle \nabla \times \mathbf {H} =mathbf {J} +{frac {partial \D}}.+{frac {partial \mathbf {D}}}{partial t}}.}{partial t}}。 
H是磁场强度(以A/m为单位),你可以通过将磁通量B除以一个叫做磁导率的常数μ(B=μH)得到,J是电流密度,定义为:。
J = ∫ρqvdA
v是一个称为漂移速度的矢量场。它描述了电荷载体的速度,其密度由标量函数ρq描述。
在自由空间中,磁导率μ是自由空间的磁导率μ0,根据定义,正好是4π×10 W/−7A-m。另外,允许率是自由空间的允许率ε0。 因此,在自由空间中,公式为:。
∇ × B = μ J0 + μ 0ε 0∂ E ∂ t {\displaystyle \nabla \times \mathbf {B} =\mu _{0}\mathbf {J} +\mu _{0}varepsilon _{0}{frac {partial \mathbf {E} ∂ t+mu _{0}varepsilon _{0}{frac {partial `mathbf {E}}{partial t}}.}{partial t}}。 
下一个积分表说的是同样的事情。
∮ s B ⋅ d s = μ I0 encircled + μ 0ε 0∫ A ∂ E ∂ t ⋅ d A {\displaystyle doint _{s}\mathbf {B}\cdot d\mathbf {s} =\mu _{0}I_{text{encircled}+mu _{0}\varepsilon _{0}int _{A}{frac {partial `mathbf {E}}{partial t}}.}{partial t}}cdot d\mathbf {A}} 
s是开放曲面A的边缘(任何以曲线s为边缘的曲面在此都可以),Iencircled是曲线s所包围的电流(通过任何曲面的电流由公式定义。Ithrough = ∫J-AAdA)。
如果电通量密度变化不大,那么右侧的第二项(位移通量)就非常小,可以不计入,然后该方程就与安培定律相同。