H场的定义为:
H ≡ B μ 0 - M , {\displaystyle \mathbf {H}。\ {1cH00FFFF}}{mu _{0}}}-mathbf {M}。
H的定义,以SI单位表示)
有了这个定义,安培定律就变成了。
∮ H ⋅ d ℓ = ∮ ( B μ 0 - M ) ⋅ d ℓ = I t o t - I b = I f {displaystyle \oint mathbf {H}。\cdot d{boldsymbol {/ell }}=oint ({frac {mathbf {B} }{mathu _{0}}}-mathbf {M} right)cdot d{boldsymbol {/ell }}=I_{mathrm {tot}。}-I_{/mathrm {b}。}=I_{/mathrm {f}。}} 
其中If代表环路所包围的"自由电流",因此H的线积分完全不取决于约束电流。该方程的微分等价物请参见麦克斯韦方程。安培定律导致边界条件。
H 1 , ∥ - H 2 , ∥ = K f , {\displaystyle H_{1,\parallel }-H_{2,\parallel }=\mathbf {K} _{\text{f}},}。 
其中Kf为表面自由电流密度。
同样,H在任何封闭表面上的表面积分是独立于自由电流的,并挑出该封闭表面内的"磁电荷"。
∮ S μ 0 H ⋅ d A = ∮ S ( B - μ 0 M ) ⋅ d A = ( 0 - ( - q M ) ) = q M , {\displaystyle \mu _{S} /mathbf {H}.\cdot mathrm {d}\mathbf {A} = 点 _{S}(mathbf {B} -mu _{0}mathbf {M} )cdot {mathrm {d}\mathbf {A} =(0-(-q_{M}))=q_{M},}。 
其中不依赖于自由电流。
因此,H场可以分成两个独立的部分。
H = H 0 + H d , { {displaystyle \mathbf {H} = \mathbf {H}。_{0}+/mathbf {H}。_{d},\,} 
其中,H0是仅由自由电流引起的外加磁场,Hd是仅由约束电流引起的退磁场。
因此,磁性H场以'磁电荷'的形式重新分解约束电流。H场线只在"自由电流"周围循环,与磁B场不同的是,H场线也在磁极附近开始和结束。